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專注調(diào)壓模塊、控制板研發(fā)生產(chǎn)

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晶閘管智能模塊在起重電磁鐵場合的應(yīng)用

      一般電磁鐵起重控制采用接觸器控制方式,容易產(chǎn)生電弧、火花,有噪音,并且動作比較慢,頻繁的動作使接觸器過早老化,故障點(diǎn)比較多,需要專人定期進(jìn)行維護(hù),既浪費(fèi)人力、物力,并且工作效率低。

      為了解決上述問題,可以用可控硅智能調(diào)壓模塊來替代接觸器,完成接觸器所有功能的同時(shí)還把所有的問題全部解決掉,可以大大降低維護(hù)費(fèi)用和維護(hù)工作量,極大方便用戶使用,是傳統(tǒng)控制方式所無法具備的優(yōu)點(diǎn)。

      一、晶閘管智能調(diào)壓模塊(晶閘管模塊)在電磁鐵起重應(yīng)用時(shí)的工作原理

      兩個(gè)晶閘管智能模塊配合,通過調(diào)節(jié)控制電壓的大小來完成晶閘管智能模塊輸出電壓的高低,從而實(shí)現(xiàn)電磁鐵的充磁、放磁及反向消磁過程,只要能按時(shí)間精確地控制好外加的控制電壓大小,即能實(shí)現(xiàn)電磁鐵吸料、放料的無縫隙運(yùn)行,并且電磁鐵的剩余能量通過逆變能回饋到電網(wǎng),達(dá)到節(jié)能的效果。

      三相整流模塊通過控制電壓的大小來完成電磁鐵的充磁、放磁過程,單相整流模塊通過控制電壓的大小來完成電磁鐵的反向消磁過程。

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      二、晶閘管智能模塊(晶閘管模塊)的選型

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   晶閘管智能模塊是電磁鐵控制裝置中最關(guān)鍵的功率器件,整機(jī)裝置是否工作可靠與正確選擇晶閘管智能模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關(guān)系,選型的原則是考慮工作可靠性,即電流、電壓必須留有余量,對于200V以上500V以下的電磁鐵,選擇工作電壓為460V的可控硅智能調(diào)壓模塊,大于500V或小于200V的電磁鐵由于用量較小,所需可控硅智能調(diào)壓模塊要訂做。

      對晶閘管智能模塊電流的選擇,必須考慮電磁鐵的額定工作電流及晶閘管智能模塊的最大輸出電壓值。

      如:某某電磁鐵控制柜,要求控制額定電壓為220V,額定電流為95A的直流電磁鐵,控制柜內(nèi)用的電源變壓器為380V/185V的三相變壓器,應(yīng)選擇什么型號的模塊?

    《使用說明書》中的選型計(jì)算公式:I>K×I負(fù)載×U最大/U實(shí)際

      K:安全系數(shù),阻性負(fù)載K=1.5,感性負(fù)載K=2

      I負(fù)載:負(fù)載流過的最大電流

      U最大:負(fù)載上的最小電壓

      U實(shí)際:模塊能輸出的最大電壓(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍)

      I:需要選擇模塊的最小電流,模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。

      第一步 計(jì)算三相整流模塊所需電流

      2×95A×1.35×185V /220V=216A

      可選250A模塊,型號為:3MTDC250

      第二步 計(jì)算單相整流模塊

      2×95A×185V×0.9/220V=166.5A

      可選200A模塊,型號為:MTDC200

      三、晶閘管智能調(diào)壓模塊的保護(hù)

      在實(shí)際應(yīng)用中除合理選擇可控硅調(diào)壓模塊的額定電流及電壓外,還必須采取足夠的散熱措施。

      晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣,在實(shí)際工作中由于自身功耗,會引起芯片溫度升高,溫度過高后會使漏電弧增加,芯片特性變軟,直至過熱擊穿芯片。在實(shí)際應(yīng)用中,通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷,控制散熱器最高溫度不超過75°,保證模塊在安全溫度下工作。

      電磁鐵在充磁及消磁時(shí),如果控制不好或因強(qiáng)干擾導(dǎo)致誤動作,輸出反向并聯(lián)的兩個(gè)可控硅智能調(diào)壓模塊輸出電壓疊加再一起,會產(chǎn)生巨大的電流,此電流不流過負(fù)載,而直接再兩模塊間流動,會超過模塊額定電流,把模塊燒壞。為了限制此電流需分別在兩模塊輸入端和輸出端加快速熔斷器,熔斷器額定電流值一般取負(fù)載的額定電流或略大于負(fù)載額定電流,必須保證小于晶閘管智能模塊的額定電流,快速熔斷器額定電流過大將起不到保護(hù)作用。

      電磁鐵在充磁與放磁之間或電網(wǎng)忽然斷電切換到備用電源時(shí),都有很小的時(shí)間間隔,電磁鐵的能量會往外釋放產(chǎn)生很高的電壓,重則擊穿晶閘管芯片。目前主要采用壓敏電阻和阻容吸收的方法來吸收瞬間高壓,保護(hù)晶閘管芯片。

      另外,高精度、高穩(wěn)定度的控制板也是可控硅智能調(diào)壓模塊可靠工作的保證。