晶閘管模塊屬于硅元件，硅元件的普遍特性是過載能力差，因此在使用過程中經(jīng)常會出現(xiàn)晶閘管模塊燒壞的現(xiàn)象。接下來，讓我們看看晶閘管模塊燒壞的真正原因。

晶閘管模塊的燒壞由溫度過高引起，溫度由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定，因此保證晶閘管模塊在開發(fā)、生產(chǎn)過程中的質(zhì)量從電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性三個方面著手，并且三者密切相關，密切相關燒壞晶閘管模塊的原因很多，總的來說，由于三者的共同作用，造成晶閘管模塊燒壞，一個單獨的特性下降，產(chǎn)品閘管燒壞困難，因此在生產(chǎn)過程中可以充分利用這個特征，也就是說，如果其中一個應力不符合要求，可以采用提高其他兩個應力的方法來彌補。

從晶閘管模塊的各相參數(shù)來看，電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時間、關閉時間等經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)，有時也會極度燒毀。晶閘管模塊各參數(shù)性能的下降和線路問題導致晶閘管模塊燒損，表面上各參數(shù)導致晶閘管模塊燒損的現(xiàn)象不同，因此可以通過解剖燒損的晶閘管模塊來判斷哪個參數(shù)導致晶閘管模塊燒損。

一般來說，陰極表面和芯片邊緣有燒傷的黑點是由電壓引起的，電壓引起的晶閘管模塊燒傷的原因有兩個。一個是晶閘管模塊的電壓故障，也就是我們常說的降低，電壓故障分為早期故障、中期故障和晚期故障。二是線路問題，線路產(chǎn)生過電壓，晶閘管模塊采取的保護措施無效。

電流燒壞晶閘管模塊通常在陰極表面有很大的燒壞痕跡，大面積溶解芯片、管殼等金屬。di/dt引起的燒毀晶閘管模塊現(xiàn)象容易判斷，一般會在門極或放大門極附近燒成黑點。我們知道晶閘管模塊的等效電路由兩個可控硅構(gòu)成，門極對應的可控硅作為觸發(fā)用，目的是在觸發(fā)信號到來時擴大，盡快引導主可控硅，但短時間內(nèi)電流過大，主可控硅尚未完全引導，大電流主要相當于門極的可控硅dv/dt本身不會燒壞結(jié)晶閘管模塊，但高dv/dt會誤導晶閘管模塊，其表面現(xiàn)象與電流燒壞現(xiàn)象大致相同。